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USBメモリ 40本目

4 :不明なデバイスさん:2009/07/10(金) 01:22:46 ID:C4bHp6W8
■フラッシュ系の書き込みによる劣化について。

/*フラッシュ全般*/
なぜ半導体メモリなのに情報(0と1)が消えないか。

FETのゲートに絶縁体を使い、(普通のメモリでは抜けてしまう)蓄積電荷が
絶縁体を乗り越えられずにとどまり続けるので、チャネルがオープンになり続け、
論理が保持されます。

/*01の制御*/
ここで、絶縁体なのに何で電荷が存在してるんだよ。という当然の疑問がわきます。
絶縁破壊する高電圧を一瞬加えて無理矢理電荷を移動させるからです。
この絶縁破壊によって、物理的に壊れていくのがフラッシュの書き込み制限。

読み込みは、単にソースドレイン間のオープン、ショートの論理をみてるだけだから、
ゲートの絶縁破壊と関係なくて、劣化しません。


■フラッシュメモリの仕組み
ttp://www.kyoto-sr.co.jp/products/fugue/techinfo/if-intro.html
最低限の知識が書いてあるから、まずはここを一読推奨


■ベンチマークは以下を推薦
・CrystalDiskMark 2.2 (C) 2007-2008 hiyohiyo

・USBメモリ26本目393氏作成テストファイルの書き込み/削除時間
  >>393 名前:不明なデバイスさん mailto:sage [2008/07/25(金) 02:42:44 ID:U3h/Y+TZ]
  >>テスト用にファイルUPしました。
  >>http://master.s140.xrea.com/passup/src/up0024.zip
  >>1〜3KBのファイルが4145個あります。


304 KB
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